MicroChem光刻胶-PMGI 负光刻胶

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产品简介

PMGI 负光刻胶

产品名称：光刻胶

型号：PMGI

关键词：MicroChem系列光刻胶

PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，PMGI & LOR在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。

材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层

材料属性：

l 覆盖在成像抗蚀剂不会混杂

l 在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发

l 高热稳定性：Tg ~190 C

l 快速清除和常规抗剥离干净

l 0.25µm微米双层抗蚀成像

l 产量高，可用于很厚（＞3µm）金属剥离处理

Bi-Layer Lift-Off Process	Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.

Step 1. LOR or PMGI is coated	1. Bi-layer resist pattern

Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer.	2. Metal Deposition

Step 3. The imaging resist is exposed.	3. Clean solvent lift-off

Step 4. The wafer is developed.

Step 5. Metal Deposition

Step 6. Lift-Off!